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半导体存储器件及其制造方法、半导体器件
编号:S000018245 刷新日期: 有效日期至:2020-11-13 浏览:2465 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及一种半导体存储器件及其制造方法、半导体器件。在将DRAM和ReRAM安装在一起的情况下,降低了其制造成本,同时保持了电容元件和可变电阻元件的性能。一种半导体存储器件,包括可变电阻元件和电容元件。该可变电阻元件具有第一深度的柱型MIM结构,并且设计为可变电阻型存储器。电容元件具有比第一深度深的第二深度的柱型MIM结构,并且设计为DRAM。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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