提供一种形成半导体器件的方法，半导体器件包括使用包括金属掩膜和介电掩膜的多层硬掩膜形成的互连层。在第一步骤中使用该多层硬掩膜之后，对准第一图案形成第二开口图案，然后在第二步骤中，使用该介电掩膜在绝缘层中形成嵌入结构，随后去除该金属掩膜。