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> 技术详情
半导体装置及电子设备
编号：S000018240
刷新日期：
有效日期至：
2020-11-29
浏览：
2004
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 -
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
技术转让
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
半导体装置(1)中，FET(3)的源极和MOSFET(4)的漏极连接，且所述半导体装置(1)包括：电阻(R
gs
)，一端连接于FET(3)的栅极，另一端连接于MOSFET(4)的源极；以及二极管(D1)，阳极连接于FET(3)的栅极，阴极连接于MOSFET(4)的源极。
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机构地址：
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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