本发明提出一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，该方法包括步骤：提供衬底；在衬底之上形成第一氮化物半导体层；刻蚀第一氮化物半导体层以形成多个开口；从开口对第一氮化物半导体层进行刻蚀以形成多个孔或槽，多个孔或槽延伸至衬底顶部表面或内部；通过对多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理，以形成多个支撑结构；以及淀积氮化物半导体材料，通过在多个孔或槽中第一氮化物半导体层的暴露部分进行横向生长，填充多个孔或槽，其后继续外延生长，在第一氮化物半导体层之上形成第二氮化物半导体层。该方法能够降低半导体的位错密度，提高薄膜生长质量，有利于降低成本和后期衬底剥离。