本发明提供一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所要解决的课题是如何制造出特性良好的半导体器件以及如何提高处理率及降低制造成本。通过在开口部(OA1)及绝缘膜(21、23)上形成铜的Cu籽晶层(27)的工序、在Cu籽晶层上形成光致抗蚀剂膜的工序、在Cu籽晶层上通过电镀成长形成铜膜(31a)的工序及在铜膜上形成Ni膜(31b)的工序等形成再布线(31)后，在再布线(31)上的开口部(OA2、焊盘区域)形成Au膜(33b)，之后除去光致抗蚀剂膜并对Ni膜(31b)实施钝化处理。随后，对再布线(31)的形成区域以外的Cu籽晶层(27)进行蚀刻。根据所述工序，在Ni膜(31b)的表面形成有钝化膜(35)，因此能够减少因上述蚀刻造成的Ni膜(31b)的膜损耗。而且，还可减少因考虑到膜损耗而增加Ni膜的厚度所造成的基板变形而引起的问题。