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半导体器件的制造方法
编号:S000018217 刷新日期: 有效日期至:2020-12-25 浏览:2456 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供了一种包括半导体基板的半导体器件的制造方法。该方法包括:使用包含具有不同光透射率的多个区域的光掩模来曝光涂敷在半导体基板上的光刻胶;显影光刻胶以形成包含具有取决于光刻胶的曝光量的不同厚度的多个区域的抗蚀剂图案;以及通过具有不同厚度的抗蚀剂图案的多个区域将杂质离子注入到半导体基板中,以形成从半导体基板的表面到峰值位置的深度相互不同的多个杂质区域。到峰值位置的深度取决于注入的杂质离子所穿过的抗蚀剂图案的厚度。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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