本发明涉及一种半导体器件的金属层结构、制造方法及其应用其的一种半导体器件，包括：位于晶片之上的第一导电层，所述第一导电层包括一组分离的第一导电子层，所述一组第一导电子层具有n种不同的电极性，n≥2；在所述第一导电层上的第一隔离层，所述第一隔离层具有一组第一通孔，以选择性的将所述第一导电子层的部分上表面裸露；在所述第一隔离层上的第二导电层，所述第二导电层包括一组分离的第二导电子层，所述第二导电子层通过所述第一通孔与极性相同的所述第一导电子层的裸露的上表面连接；在所述第二导电层和所述第一隔离层上的第二隔离层，所述第二隔离层具有一组第二通孔，以选择性的将所述第二导电子层的部分上表面裸露；位于所述第二通孔处的凸块层，以将所述n种不同的电极性引出。