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> 技术详情
半导体制造方法
编号:S000018209
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-15
浏览:
2447
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
一种存储器位单元包括:锁存器,与锁存器相连接的写端口,以及与锁存器相连接的读端口。写端口包括:具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件,第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括:具有第三阈值电压的第三组器件,第三阈值电压小于第一阈值电压。本发明还提供了一种半导体制造方法。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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