本发明提供一种半导体器件的制造方法，其在第一基体上依次形成硅锗层和罩层，并在罩层中形成基体CMOS晶体管，其后第一基体通过金属前介质层与第二基体粘合固定，再依次刻蚀去除第一基体和硅锗层，以暴露所述罩层，最后，在所述罩层上形成器件背面结构。由于硅锗层与罩层具有较佳的刻蚀选择比，从而能够在刻蚀去除硅锗层的过程中保护罩层，进而保护基体CMOS晶体管不被刻蚀损伤，提高半导体器件的性能。