本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。