本发明公开了半导体器件和晶体管的制造方法。在一个实施例中，一种制造半导体器件的方法包括提供包括多个鳍的工件，以及在多个鳍的顶面上方形成半导体材料。在半导体材料上方形成蚀刻停止层，以及在蚀刻停止层上方设置绝缘材料。从多个鳍的上方去除该绝缘材料和蚀刻停止层的部分。对形成半导体材料或形成蚀刻停止层进行控制，从而使得去除部分蚀刻停止层时不会去除位于多个鳍上方的半导体材料的最宽部分之间的蚀刻停止层。