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半导体测试结构
编号:S000018179 刷新日期: 有效日期至:2020-11-30 浏览:2531 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
一种电阻式测试结构,该电阻式测试结构包括具有有源区的半导体衬底;在有源区上方形成的栅极堆叠件;在栅极堆叠件的相对侧上与有源区相通的第一电接触件,该第一电接触件在栅极堆叠件的第一维度上提供电短路;以及在栅极堆叠件的相对侧上与有源区相通的第二电接触件,该第二电接触件在栅极堆叠件的第一维度上提供电短路,第一电接触件和第二电接触件沿着栅极堆叠件的垂直于第一维度的第二维度间隔开。本发明提供了半导体测试结构。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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