形成于第一半导体晶体层上的第一沟道型的第一MISFET的第一源极和第一漏极以及形成于第二半导体晶体层上的第二沟道型的第二MISFET的第二源极和第二漏极由同一种导电物质构成，该导电物质的功函数Φ_M满足式1及式2的至少之一的关系，(式1)(式2)且其中，表示N型半导体晶体层的电子亲和力、及E_g2表示P型半导体晶体层的电子亲和力及禁带宽度。