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> 技术详情
氮化物半导体激光元件
编号:S000018174
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-10
浏览:
2560
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
本发明提供一种氮化物半导体激光元件,设有即便在激光器工作中也不会发生膜剥落的牢固的端面保护膜,具有较高的可靠性。氮化物半导体激光元件具备:半导体层叠体,其由III族氮化物半导体构成,并具有发光端面;和保护膜,其由按照覆盖半导体层叠体中的发光端面的方式形成的电介质多层膜构成,保护膜由端面保护层和氧扩散抑制层构成,从发光端面起按照端面保护层和氧扩散抑制层的顺序被配置,端面保护层是具有由含铝的氮化物构成的结晶性膜的层,氧扩散抑制层是氧化硅膜夹着金属氧化物膜的构造,金属氧化物膜通过激光而结晶化。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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