本发明的实施方式的氮化物半导体装置，具备基板（1）、第一氮化物半导体层（3）、第二氮化物半导体层（4）以及在第二氮化物半导体层上（4）设置的源电极（5）、漏电极（6）、第一栅电极（9）、肖特基电极（10）和第二栅电极（12）。在第二氮化物半导体层（4）与第一氮化物半导体层（3）之间的界面处，形成二维电子气。第一栅电极（9）是常截止型FET（20）的栅电极，设置在源电极（5）与漏电极（6）之间。肖特基电极（10）设置在第一栅电极（9）与漏电极（6）之间。第二栅电极（12）是常导通型FET（21）的栅电极，设置在肖特基电极（10）与漏电极（6）之间。