本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底上的第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、形成在第二半导体层上的第三半导体层、形成在第三半导体层上的栅电极以及与第二半导体层相接触形成的源电极和漏电极，其中第三半导体层的半导体材料掺杂有p型杂质元素，并且第三半导体层具有朝着设置有漏电极的一侧突出超过栅电极的边缘的突出区域。