本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构；在所述栅极结构两侧的半导体衬底内形成第一凹槽；在所述第一凹槽的侧壁形成保护层；对所述第一凹槽底部的半导体衬底进行刻蚀，形成第二凹槽；刻蚀所述第二凹槽，形成第三凹槽，所述第三凹槽具有圆弧形的轮廓；刻蚀所述第三凹槽，以在所述第三凹槽底部区域形成平底沟槽，形成第四凹槽；对所述第四凹槽进行刻蚀，形成∑状凹槽，所述∑状凹槽包含与栅极结构距离最小的顶点；在所述∑状凹槽中形成嵌入式锗硅层。本发明半导体器件的形成方法提高了半导体器件中载流子的迁移率，改善了半导体器件的性能。