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化合物半导体器件及其制造方法
编号:S000018164 刷新日期: 有效日期至:2020-10-29 浏览:2475 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种化合物半导体器件及其制造方法。一个化合物半导体器件的实施方案包括:衬底;形成在衬底上的化合物半导体堆叠结构;和形成在衬底和化合物半导体堆叠结构之间的非晶绝缘膜。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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