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半导体激光器件
编号:S000018163 刷新日期: 有效日期至:2020-12-04 浏览:2256 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明的半导体激光器件具有叠层体和电介质层。叠层体具有包含量子阱层的活性层,设有脊形波导。并且,上述活性层具有通过上述量子阱层的子带间光学跃迁而能放出12μm以上且18μm以下的波长的红外线激光光的第1区域、与能缓和从上述第1区域注入的载流子的能量的第2区域交替地叠层而成的级联构造,在上述脊形波导延伸的方向上能射出上述红外线激光光。电介质层设置为在与上述脊形波导正交的截面,从两侧夹着上述叠层体的侧面的至少一部分。电介质层的光的透射率下降至50%的波长是16μm,具有比构成上述活性层的任一层的折射率还低的折射率。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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