本发明提供的氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板和顺次设置在所述基板上的栅电极、绝缘介质层以及氧化物半导体沟道层，所述绝缘介质层使得所述栅电极和所述氧化物半导体沟道层绝缘，所述氧化物半导体沟道层的上表面设置漏电极和源电极，所述漏电极和所述源电极之间的间隙为d₁，所述源电极与所述栅电极在水平方向上的重叠区域的长度为d₂，所述源电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是肖特基接触，所述漏电极与所述氧化物半导体沟道层间的接触是欧姆接触。本发明的氧化物半导体薄膜晶体管通过在较低载流子浓度下工作来提高了其工作稳定性。该类型氧化物半导体薄膜晶体管由于新的几何特征和工作原理所以受短沟道效应影响小，利于提高一致性。