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> 技术详情
半导体器件及增大半导体器件的有源区的方法
编号：S000018155
刷新日期：
有效日期至：
2020-12-12
浏览：
2234
次
对接邀请：
0
次
意向价格：
面议
所在区域：
中国 - 江苏
技术领域：
智能制造 - 装备制造业
转让类型：
科技服务
专利类型：
发明专利
技术成熟度：
可以量产
供应描述
除其它内容之外，本文讨论了一种半导体器件及增大半导体器件的有源区的方法，该半导体器件包括连接到源区的第一金属层和连接到栅结构的第二金属层，其中，第一金属层和第二金属层的至少一部分纵向重叠。
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No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式：
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