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半导体器件、半导体器件的制造方法以及电源器件
编号:S000018152 刷新日期: 有效日期至:2020-12-24 浏览:2379 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法,包括:在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个;在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上,形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个;以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后,形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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