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制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法
编号:S000018150 刷新日期: 有效日期至:2020-11-13 浏览:2430 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种制造半导体器件的方法和清洁半导体衬底的方法,所述制造半导体器件的方法包括:以表面相对于垂直方向和水平方向倾斜的方式保持半导体衬底;以及将半导体衬底浸没在含有酸的清洁溶液中。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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