根据一个实施方式，提供一种半导体元件，该半导体元件具有半导体基板、氮化物的第一至第四半导体层、第一至第三电极以及栅电极。上述第一半导体层直接或隔着缓冲层设置在上述半导体基板上。上述第二半导体层从上述第一半导体层离开地设置。上述第三半导体层设置在上述第二半导体层上，具有比上述第二半导体层大的带隙。上述第四半导体层将上述第一半导体层及上述第二半导体层进行绝缘。上述第一电极与上述第一至上述第三半导体层形成欧姆接合。上述第二电极设置在上述第三半导体层上。上述栅电极设置在上述第一电极和上述第二电极之间。上述第三电极与上述第一半导体层形成肖特基结。