本发明提供一种半导体器件和逆导IGBT。该半导体器件包括具有基极区域（1）的半导体本体（40）以及布置在半导体本体（40）的主水平表面（15）上的第一电极（10）。该半导体本体（40）还包括具有与基极区域（1）形成第一pn结（9）的本体区域（2）的IGBT单元（110）以及具有与基极区域（1）形成第二pn结（9a）的阳极区域（2a）的二极管单元（120）。在垂直剖面中仅在IGBT单元（110）中形成与第一电极（10）欧姆接触的源极区域（3）以及与第一电极（10）欧姆接触的抗闩锁区域（4）。该抗闩锁区域（4）具有比本体区域（2）的最大掺杂浓度高的最大掺杂浓度。