本发明涉及具有沟槽触点的半导体晶体管及其形成方法。在本文中描述的实施例涉及具有沟槽触点的半导体晶体管，特别地涉及一种具有在栅电极下面的场电极的半导体晶体管，并且涉及用于制作具有沟槽触点的半导体晶体管的相关方法。