本发明是有关于一种半导体工艺，其包含提供一个基板，该基板具有金属层，该金属层包含有第一金属层及第二金属层，该第一金属层具有多个第一基底区及多个第一外侧区，该第二金属层具有多个第二基底区及多个第二外侧区；形成第一光刻胶层；形成多个承载部；移除该第一光刻胶层；形成第二光刻胶层；形成多个导接部，各该导接部具有第一接合层及第二接合层，各该第一接合层连接各该承载部；移除该第二光刻胶层以显露出所述导接部及所述承载部；移除所述第一外侧区；回焊所述第二接合层，以使所述第二接合层覆盖所述第一接合层以形成多个混成凸块；以及移除所述第二外侧区，以使所述第一基底区及所述第二基底区形成多个凸块下金属层。