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半导体装置及半导体装置的制造方法
编号:S000018111 刷新日期: 有效日期至:2020-11-17 浏览:2079 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备:在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤;在所述光电二极管层上,形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤;在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备:以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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