本发明的目的在于提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，能够降低集电极层的载流子浓度峰值位置的载流子浓度，并且，该载流子浓度不容易受到制造环境气氛所引起的污染的影响。本申请发明的半导体装置的特征在于，具有：半导体基板，该半导体基板具有载流子浓度最大的载流子浓度峰值位置位于从表面离开1μm以上的位置的集电极层；集电极电极，以与该集电极层的表面接触的方式形成。