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> 技术详情
半导体集成电路
编号:S000018107
刷新日期:
有效日期至:
2020-10-04
浏览:
2460
次
对接邀请:
0
次
意向价格:
面议
所在区域:
中国 -
技术领域:
智能制造 - 装备制造业
转让类型:
科技服务
专利类型:
发明专利
技术成熟度:
可以量产
供应描述
提供一种即使电源的启动慢也稳定地动作的半导体集成电路。使P沟道MOS晶体管(MP1)的源极电极(S)与电源连接,使其漏极电极(D)与耗尽型晶体管(ND1)的漏极电极(D)连接。并且,设置借助电阻(R1)使耗尽型晶体管(ND1)的源极电极(S)为电位VSS,并且使P沟道MOS晶体管与耗尽型晶体管双方的栅极电极(G)为电位VSS的电源起动电路部(11)。而且,构成为:使P沟道MOS晶体管(MP1)的漏极电极(D)与耗尽型晶体管(ND1)的漏极电极(D)的相互连接点作为恒流电路部(12)以及启动电路部(14)的电源节点,向恒流电路部(12)以及启动电路部(14)供给动作电源。
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机构地址:
No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia
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认证方式:
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