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半导体集成电路
编号:S000018107 刷新日期: 有效日期至:2020-10-04 浏览:2460 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:科技服务
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
提供一种即使电源的启动慢也稳定地动作的半导体集成电路。使P沟道MOS晶体管(MP1)的源极电极(S)与电源连接,使其漏极电极(D)与耗尽型晶体管(ND1)的漏极电极(D)连接。并且,设置借助电阻(R1)使耗尽型晶体管(ND1)的源极电极(S)为电位VSS,并且使P沟道MOS晶体管与耗尽型晶体管双方的栅极电极(G)为电位VSS的电源起动电路部(11)。而且,构成为:使P沟道MOS晶体管(MP1)的漏极电极(D)与耗尽型晶体管(ND1)的漏极电极(D)的相互连接点作为恒流电路部(12)以及启动电路部(14)的电源节点,向恒流电路部(12)以及启动电路部(14)供给动作电源。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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