本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法。该半导体器件包括：第一晶体管，包括：第一导电类型的第一杂质层，形成在半导体衬底的第一区域中；第一外延半导体层，形成在第一杂质层上方；第一栅极绝缘膜，形成在第一外延半导体层上方；及第一栅极电极，形成在第一栅极绝缘膜的上方；以及第二晶体管，包括：第二导电类型的第二杂质层，形成在半导体衬底的第二区域中；第二外延半导体层，形成在第二杂质层上方，且具有与第一外延半导体层不同的厚度；第二栅极绝缘膜，形成在第二外延半导体层上方，且具有与第一栅极绝缘膜相等的膜厚度；及第二栅极电极，形成在第二栅极绝缘膜上方。本发明通过价廉工艺实现高性能和高可靠性的半导体器件。