一种半导体器件，包括：衬底，嵌入到衬底中并具有多个开口的绝缘膜，形成在衬底中并位于这些开口中的多个虚拟扩散层，在电阻元件形成区域中形成在绝缘膜上使得在平面图中不与虚拟扩散层重叠并且在第一方向上延伸的多个电阻元件，和在电阻元件形成区域中形成在绝缘膜和虚拟扩散层上且在第一方向上延伸的多个虚拟电阻元件；其中虚拟电阻元件中的每一个，在平面图中与衬底水平的平面上，与在与第一方向垂直的第二方向上对齐的至少两个虚拟扩散层重叠。