一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底进行离子注入，在半导体衬底内形成停止层；形成停止层后，在所述半导体衬底的第一表面形成器件层；在所述器件层和半导体衬底内形成导电插塞，所述导电插塞与所述停止层接触；形成导电插塞之后，化学机械抛光所述半导体衬底的第二表面，直至暴露出停止层为止，所述第二表面与所述第一表面相对；去除所述停止层和部分半导体衬底，使所述导电插塞突出于半导体衬底的第二表面；去除所述停止层和部分半导体衬底之后，在所述半导体衬底第二表面形成钝化层，所述钝化层表面与所述导电插塞顶部齐平。所形成的半导体器件的尺寸可控，且性能稳定。