本发明涉及半导体器件和包括该半导体器件的集成电路。该半导体器件包括源极金属化物和半导体本体。半导体本体包括第一场效应结构，该第一场效应结构包括电耦接至源极金属化物的第一导电类型的源区。半导体本体还包括第二场效应结构，该第二场效应结构包括电耦接至源极金属化物的第一导电类型的源区。包括在半导体本体中的半导体区的电压抽头通过中间反相器结构电耦接至第一场效应结构的第一栅电极。