本发明公开了一种半导体工艺。首先，提供具有晶胞区与周边区的基底。然后，于晶胞区的基底上形成多个第一栅极结构以及于周边区的基底上形成至少一第二栅极结构。接着，于基底上形成介电层，以覆盖第一栅极结构及第二栅极结构。之后，于基底上形成非晶硅层，以覆盖第二栅极结构以及至少填满第一栅极结构之间的间隙。继之，对非晶硅层进行一再结晶工艺，以形成第一多晶硅层。