本发明提供一种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法，所述半导体装置包括：衬底、形成在衬底上方并且包含氮化物半导体的半导体层、形成在半导体层上方并且包含金的电极、形成在电极上方的阻挡膜以及形成在半导体层上方并且包含氧化硅膜、氮化硅膜以及氮氧化硅膜中的保护膜。保护膜形成在阻挡膜上。阻挡膜包含金属氧化物材料、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜。