本发明得到能提高断开动作时的电流截断能力并降低导通电压的半导体装置。在设有IGBT的晶体管区域与配置在其周围的终端区域之间配置有抽取区域。在抽取区域中，在N^-型漂移层(1)上设有P型层(11)。P型层(11)与发射极电极(9)连接。在P型层(11)上隔着绝缘膜(12)设有伪栅极电极(13)。伪栅极电极(13)与栅极电极(7)连接。终端区域中的载流子的寿命短于晶体管区域及抽取区域中的载流子的寿命。