本发明涉及一种半导体器件及制造半导体器件的方法，半导体器件包括从表面延伸到半导体本体的漂移区中的沟道区域。该半导体器件进一步包括介电结构，介电结构包括沿沟道区域的侧向侧的第一梯阶和第二梯阶。该半导体器件进一步包括在第一梯阶与第二梯阶之间的第一导电类型的辅助结构、在沟道区域中的栅电极以及与漂移区的第一导电类型不同的第二导电类型的本体区域。该辅助结构与漂移区、本体区域及介电结构中的每个邻接。