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半导体功率模块
编号:S000018056 刷新日期: 有效日期至:2020-09-28 浏览:2081 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:技术转让
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明提供一种半导体功率模块。在以集电极电极端子面(111t)一侧为上侧、发射极电极端子面(112t)一侧为下侧的情况下,半导体安装基板(104)上的集电极配线(105)与集电极电极(111)的接合部即集电极电极接合部以及发射极配线与发射极电极的接合部即发射极电极接合部,在上下方向的位置相同,以2mm以上4mm以下的间隔左右邻接,并且上侧配置的第一半导体安装基板(104a)上的集电极电极接合部与下侧配置的第二半导体安装基板(104b)的集电极电极接合部、以及第一半导体安装基板(104a)上的发射极电极接合部与第二半导体安装基板(104b)的发射极电极接合部,分别配置为左右方向上的位置相同。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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