本发明涉及半导体装置。实现确保期望的击穿电压，且流过较大的放电电流的ESD保护特性良好的ESD保护元件。由PN结二极管（35）与寄生PNP双极晶体管（38）构成ESD保护元件，所述PN结二极管由适当的杂质浓度的N+型嵌入层（2）与P+型嵌入层（3）形成，所述寄生PNP双极晶体管以连接到P+型扩散层（6）的P+型引出层（5a）作为发射极，以N-型外延层（4）作为基极，以P型半导体衬底（1）作为集电极。P+型嵌入层连接到阳极（10），P+型扩散层、以及与其连接并包围的N+型扩散层（7）连接到阴极（9）。若对阴极施加较大的正静电，则PN结二极管被击穿，通过此时的放电电流I1，N-型外延层的电位比P+型引出层低，寄生PNP双极晶体管（38）导通，流过较大的放电电流I2。