本发明要构筑一种包括ESD保护特性优越的ESD保护电路的半导体装置。按照仅在施加了基于静电的浪涌电压时成为导通状态的方式，形成通过由电阻元件(20)和电容元件(21)形成的RC定时器、以及PLDMOS晶体管(5)而构成的带RC定时器的放电部(1)。另外，形成将NMOS截止晶体管(10)、(15)各自的源极电极(13)和漏极电极(16)彼此连接的噪声产生防止部(2)。将所述带RC定时器的放电部(1)的PLDMOS晶体管(5)的源极电极(6)与电源线(3)连接。另外，对该PLDMOS晶体管(5)的漏极电极(8)和所述NMOS截止晶体管(10)的漏极电极(11)进行连接。并将NMOS截止晶体管(15)的源极电极(18)与接地线(4)连接。