本发明提供一种功率用半导体装置，具备：第1导电类型的第1半导体层(1)、第1导电类型的第2半导体层(2)、第2导电类型的第3半导体层(3)、第2导电类型的第4半导体层(4)、第1主电极(5)及第2主电极(6)。第2半导体层(2)设置在第1半导体层(1)上，第3半导体层(3)选择性地设置于第2半导体层(2)的表面。第4半导体层(4)选择性地设置于第3半导体层(3)的表面，具有比第3半导体层(3)的第2导电类型杂质的浓度高的第2导电类型杂质的浓度。第3半导体层(3)具有载流子寿命降低区域，该载流子寿命降低区域与第4半导体层(4)的底面邻接并与第2半导体层(2)有间隔，被处理为使载流子寿命变短。