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半导体器件
编号:S000018020 刷新日期: 有效日期至:2020-12-12 浏览:2389 对接邀请:0
意向价格: 面议
所在区域:中国 - 技术领域:智能制造 - 装备制造业
转让类型:合作研发
专利类型:发明专利 技术成熟度:可以量产
供应描述
本发明公开了一种半导体器件,该半导体器件具有第一导电类型半导体衬底(10)、第二导电类型沟道区(13)和第二导电类型减薄区(18)。邻近于半导体衬底(10)的衬底表面(10a)形成沟道区(13)和减薄区(18)。此外,空穴阻挡层(19)形成在每个减薄区(18)中,以将减薄区(18)划分为邻近于衬底表面(10a)的第一部分(18a)和邻近于减薄区(18)的底部的第二部分(18b)。空穴阻挡层(19)的面密度小于或等于4.0×1012cm-2,以使得耗尽层能够穿通空穴阻挡层(19),由此限制击穿特性降低。
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机构地址:No.490, S.Ning'an Str., Yinchuan,Ningxia 查看地图
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