本申请涉及半导体器件。除其他以外，本文讨论了包括第一导电层和第二导电层的半导体器件，所述第一导电层包括栅道和漏接触区，并且所述第二导电层包括漏导体，所述漏导体的至少一部分覆盖所述栅道的至少一部分。半导体器件的第一表面可以包括耦合到栅道的栅焊垫以及耦合到漏接触区和漏导体的漏焊垫。