本发明提供一种半导体装置，包括：半导体基底，具有第一导电型，且具有被密封环区所围绕的芯片区。绝缘层位于半导体基底上。第一密封环结构埋设于绝缘层内且对应于密封环区。第一电容器位于密封环结构下方并与其电性连接，其中电容器包括半导体基底的主体。本发明提出的半导体装置，利用在密封环结构下方设置电容器并与其电性连接，以减轻或排除基底噪声耦合的问题。