本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括：形成在衬底上的高电阻层，该高电阻层利用掺杂有杂质元素的半导体材料形成，该杂质元素使半导体材料变为高电阻的；形成在高电阻层上的多层中间层；在多层中间层上利用半导体材料形成的电子传输层；以及在电子传输层上利用半导体材料形成的电子供给层，其中所述多层中间层利用多层膜形成，在该多层膜中GaN层和AlN层交替地层叠。