本发明提供半导体装置。实施方式的第一半导体元件具有：第一半导体层；第二半导体层；与第二半导体层相邻的第三半导体层；从第二半导体层表面以及第三半导体层表面到内部而设置的第一绝缘层；选择性地设置于第二半导体层表面的第一基底区域；选择性地设置于第一基底区域表面的第一源区域；从第一绝缘层表面到内部而设置的第一栅电极；设置于第一基底区域下的、从第一半导体层表面延伸到第一基底区域侧的第一漂移层；和与第一源区域相对、夹着第一绝缘层而设置于第三半导体层表面的第一漏区域。第一漂移层所含的杂质元素的浓度比第一半导体层所含的杂质元素的浓度低，第一漂移层所含的杂质元素的浓度比第二半导体层所含的杂质元素的浓度高。