提供能够减少导通电阻且保持高耐压的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板；和多个栅电极，包括在与半导体基板平行的面内沿第一方向延伸的部分。半导体基板具有：第一导电型的第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上，包括在与半导体基板平行的面内沿着相对于第一方向和与第一方向正交的第二方向交叉的第三方向延伸、并且相互邻接地交替配置的多个第一导电型的第一柱及第二导电型的第二柱；第二导电型的第三半导体层，设置在第二半导体层上的包含栅电极的正下方区域间的区域，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域；和第一导电型的第四半导体层，设置在第三半导体层的正上方区域内，从上方观察时其边缘位于栅电极正下方区域。