本发明公开了一种半导体装置。在具有半导体基板的半导体装置中，二极管和IGBT形成在半导体基板上，二极管的阴极区域和IGBT的集电极区域形成在暴露于半导体基板的一个表面的范围内。在所述表面上形成有与阴极区域接触的第一导体层和与集电极区域接触的第二导体层。第二导体层的功函数大于第一导体层的功函数。