本发明公开了一种硅基砷化镓外延材料及器件制造设备，它包括UHVCVD反应腔室；所述UHVCVD反应腔室与真空过渡腔室连通，真空过渡腔室与晶片缓存腔室连通，晶片缓存腔室与中央传送腔室连通；所述中央传送腔室还与热处理腔室、MOCVD反应腔腔室及层流罩连通；彼此连通的腔室之间设有闸阀，层流罩与中央传送腔室之间也设有闸阀；所述中央传送腔室和真空过渡腔室中设有真空机械手。本发明有效的解决了硅基砷化镓外延材料及器件制造中工艺设备生产效率低、占地面积大、衬底转移存在过程污染、洁净厂房净化等级要求高的缺点。